[发明专利]一种基准电压电路及程控电源在审

专利信息
申请号: 201810447460.7 申请日: 2017-04-11
公开(公告)号: CN108519789A 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长泰品原电子科技有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 代理人: 段宇
地址: 363999 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及电源技术领域,尤其涉及的是一种基准电压电路。本发明提供了一种基准电压电路,包括启动电路和基准电压产生电路。本发明还提供了一种程控电源。本发明的基准电源电路的输入电压不直接作为输入,而是通过启动电路中的稳压结构进一步降低了噪声,提高了电源抑制比;采用非线性温度补偿的电路结构,使基准电压电路具有更小的温度系数,提高了输出精度。
搜索关键词: 基准电压电路 程控电源 启动电路 基准电压产生电路 非线性温度补偿 电源技术领域 基准电源电路 电源抑制比 电路结构 输入电压 温度系数 稳压 噪声 输出
【主权项】:
1.一种基准电压电路,其特征在于,包括启动电路和基准电压产生电路;所述启动电路包括:第一运算放大器OP1,第一运算放大器OP1正向输入端连接输入电压VIN,第一运算放大器OP1的输出端连接第一PMOS管P1的栅极和第一电容C1的一端,第一PMOS管P1的电源VDD,第一PMOS管P1的漏极连接第一电容C1的另一端和第一电阻R1的一端,第一电阻R1的另一端连接第一运算放大器OP1的反向输入端和第二电阻R2的一端,第二电阻R2的另一端接地;第二电容C2的一端连接第一PMOS管P1的漏极,第二电容C2的另一端连接第一NMOS管N1的漏极,第一NMOS管N1的源极接地,第一NMOS管N1的栅极连接第二PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的漏极,第二PMOS管P2的源极连接第一PMOS管P1的漏极,第二PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极,第二NMOS管N2的源极接地;所述基准电压产生电路包括:第三PMOS管P3,第四PMOS管P4,第三PMOS管P3、第四PMOS管P4的源极连接第一PMOS管P1的漏极,第三PMOS管P3、第四PMOS管P4的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连,第三PMOS管P3的漏极连接第二运算放大器OP2的正向输入端、第二PMOS管P2的栅极以及第一三极管Q1的发射极,第一三极管Q1的集电极和基极接地,第三电阻R3的一端连接第一三极管Q1的发射极,另一端接地,第四PMOS管P4的漏极连接第二运算放大器OP2的反向输入端以及第四电阻R4的一端,第四电阻R4的另一端连接第二三极管Q2的发射极,第二三极管Q2的集电极和基极均接地,电阻第五电阻R5的一端连接第二三极管Q2的发射极,另一端接地。
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