[发明专利]一种低熔点合金激光熔覆成形方法有效
申请号: | 201810436096.4 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN108570674B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 郝云波;杨洋;赵维刚;王江;赵凯;王联凤 | 申请(专利权)人: | 上海航天设备制造总厂有限公司 |
主分类号: | C23C24/10 | 分类号: | C23C24/10 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 余岢 |
地址: | 200245 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供低熔点合金激光熔覆成形方法,包括:采用高能量密度进行低熔点合金熔覆,在低熔点合金和轴瓦基体之间形成第一熔覆层;在第一熔覆层的基础上采用降低激光功率密度的方式进行熔覆,在第一熔覆层上形成第二熔覆层,根据熔覆层厚度不同,第二熔覆层数不仅限于一层;在第二熔覆层的基础上采用降低送粉速率提高成形精度的方式进行熔覆,在第二熔覆层上形成第三熔覆层。本发明提供的低熔点合金激光熔覆成形方法,能够实现热物性参数较大的两种合金间冶金结合,与传统浇注的方式相比大大提高了锡基巴氏合金与钢基体之间的结合强度和成形精度,降低了材料浪费。 | ||
搜索关键词: | 一种 熔点 合金 激光 成形 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低熔点合金激光熔覆成形方法,其特征在于,包括:采用高能量密度进行低熔点合金熔覆,在低熔点合金和轴瓦基体之间形成第一熔覆层;在所述第一熔覆层的基础上采用降低激光功率密度的方式进行熔覆,在所述第一熔覆层上至少形成一层第二熔覆层;在所述第二熔覆层的基础上以降低送粉速率来提高成形精度的方式,在所述第二熔覆层上形成第三熔覆层。
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