[发明专利]一种低压电及温度干扰的柔性热释电红外热像仪像素阵列有效

专利信息
申请号: 201810432391.2 申请日: 2018-05-08
公开(公告)号: CN108871592B 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 黎威志;高若尧;张天;杜晓松;太惠玲;于贺 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01J5/12 分类号: G01J5/12
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 徐金琼
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种低压电及温度干扰的柔性热释电红外热像仪像素阵列,涉及红外热像仪领域,包括位于上层用于探测成像的上层柔性热释电聚合物薄膜和位于下层用于补偿的下层柔性热释电聚合物薄膜,以及位于底层的底层支撑层;所述上层柔性热释电聚合物薄膜上表面设置有像素电极阵列,下表面设置有与上表面的像素电极阵列完全相同的像素电极阵列;所述下层柔性热释电聚合物薄膜上表面设置有与上层柔性热释电聚合物薄膜上表面设置的像素电极阵列完全相同的像素电极阵列,下表面设置有与上表面设置的完全相同的像素电极阵列,本发明解决了现有柔性热释电红外热像仪由于环境振动和温度波动导致红外热像仪成像质量降低的问题。
搜索关键词: 一种 压电 温度 干扰 柔性 热释电 红外 热像仪 像素 阵列
【主权项】:
1.一种低压电及温度干扰的柔性热释电红外热像仪像素阵列,其特征在于:包括位于上层用于探测成像的上层柔性热释电聚合物薄膜(2)和位于下层用于补偿的下层柔性热释电聚合物薄膜(6),以及位于底层的底层支撑层(9);所述上层柔性热释电聚合物薄膜(2)上表面设置有像素电极阵列(1),下表面设置有与设置在上表面的像素电极阵列(1)完全相同的像素电极阵列(3);所述下层柔性热释电聚合物薄膜(6)上表面设置有与设置在上层柔性热释电聚合物薄膜(2)上表面的像素电极阵列(1)完全相同的像素电极阵列(5),下表面设置有与设置在上层柔性热释电聚合物薄膜(2)上表面的像素电极阵列(1)完全相同的像素电极阵列(7)。
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