[发明专利]一种存储与选通双功能器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810394883.7 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108598257B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 王浩;何玉立;陈傲;马国坤;陈钦 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储与选通双功能器件，从下至上依次包括底电极、转换层和顶电极，所述底电极为TiN或导电玻璃，所述转换层为铌的氧化物，所述顶电极为钨。本发明以铌的氧化物为转换层，以TiN或导电玻璃为底电极、金属钨为顶电极，构成了具有存储与选通双功能的器件。实验结果表明，本发明所提供的器件在大限流时具有选通性能，在小限流时具有阻变性能(即存储性能)；同时在选通和阻变性能测试中，循环测试100圈，所得曲线的偏移程度很小，说明其还具有优异的稳定性；在阻变性能测试中，高阻态电阻阻值比上低阻态电阻阻值大于10，说明该器件还具有较大的存储窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 选通双 功能 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储与选通双功能器件，从下至上依次包括底电极、转换层和顶电极，所述底电极为TiN或导电玻璃，所述转换层为铌的氧化物，所述顶电极为钨。
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