[发明专利]一种砷化镓共源共栅赝配高电子迁移率晶体管小信号等效电路模型在审
| 申请号： | 201810394637.1 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108629104A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 党锐锐;吕志浩;徐志伟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种砷化镓共源共栅赝配高电子迁移率晶体管小信号等效电路模型，包括各个电极端口的寄生部分和本征部分，所述各个电极端口的寄生部分由栅极寄生部分、漏极寄生部分、源极寄生部分和栅漏极间寄生部分组成，所述本征部分由M1栅源极间本征单元、M1栅漏极间本征单元、M1漏源极间本征单元和M2等效本征单元组成；该小信号等效电路模型可以简化测试步骤，提高仿真同测试结果的拟合精度。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生 本征 信号等效电路 赝配高电子迁移率晶体管 电极端口 共源共栅 砷化镓 栅漏 测试步骤 漏源极 栅源极 漏极 拟合 源极 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓共源共栅赝配高电子迁移率晶体管小信号等效电路模型，其特征在于，它包括各个电极端口的寄生部分(100)和本征部分(200)。所述各个电极端口的寄生部分(100)由栅极寄生部分(110)、漏极寄生部分(120)、源极寄生部分(130)和栅漏极间寄生部分(140)组成。所述本征部分(200)由M1栅源极间本征单元(210)、M1栅漏极间本征单元(220)、M1漏源极间本征单元(230)和M2等效本征单元(240)组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810394637.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
