[发明专利]一种用于旁路开关的电压检测控制电路

摘要

一种用于旁路开关的电压检测控制电路，属于电子电路技术领域。旁路开关使用VDMOS功率管作主开关管，VDMOS功率管的体二极管导通压降为电源电压，为振荡器和电荷泵电路供电，振荡器产生时钟信号控制电荷泵电路将电源电压泵升输出给电压检测电路产生供电电压，为电压检测电路和驱动电路供电，电压检测电路的输出信号控制电荷泵电路和驱动电路，驱动电路产生具有更大驱动能力的驱动信号控制VDMOS功率管，当输出电压达到预设上限时关断电路停止对第一电容充电，当第一电容的电压下降到预设下限时开启电路继续为第一电容充电。本发明具有平均导通压降明显降低、反向耐压更高、漏电流更小的优点；且电压检测电路采用内置比较器，保障了预设电压的可靠性。

主权项

1.一种用于旁路开关的电压检测控制电路，所述旁路开关使用VDMOS功率管作主开关管，所述电压检测控制电路包括第一电容(C1)和控制模块，其特征在于，所述控制模块包括三个控制端和一个输出端，其第一控制端连接所述VDMOS功率管的源极并连接电源电压(VDD)，其第二控制端连接所述VDMOS功率管的漏极，其第三控制端连接所述VDMOS功率管的栅极，其输出端连接第一电容(C1)的一端，第一电容(C1)的另一端接地；所述VDMOS功率管体二极管的导通压降作为所述电源电压(VDD)；/n所述控制模块包括振荡器、电荷泵电路、电压检测电路、驱动电路、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和高压PMOS管(MP40)，/n振荡器和电荷泵电路的电源端连接所述第一控制端，由所述电源电压(VDD)供电；/n所述电荷泵电路的输入端连接所述振荡器的输出端，其输出电压连接所述电压检测电路的输入端，所述电荷泵电路的输出电压用于产生所述电压检测电路的供电电压(VDDH)，所述供电电压(VDDH)连接驱动电路的电源端和所述控制模块的输出端；/n所述电压检测电路的输出端连接所述驱动电路的输入端和所述振荡器的时钟控制端，并通过第二电阻(R2)后连接高压PMOS管(MP40)的栅极；/n所述驱动电路的输出端连接所述第三控制端；/n第一电阻(R1)接在所述第一控制端和高压PMOS管(MP40)的栅极之间；/n高压PMOS管(MP40)的漏极连接所述第二控制端，其源极接地；/n所述电压检测电路包括检测模块、带隙基准源模块和比较器模块，所述带隙基准源模块用于产生带隙基准电压(Vref)并输出给所述比较器模块的第一输入端，/n所述检测模块包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和第五电阻(R5)，/n第七PMOS管(MP7)的漏极作为所述电压检测电路的输入端，其源极产生所述供电电压(VDDH)，其栅极连接第四NMOS管(MN4)、第五PMOS管(MP5)、第一NMOS管(MN1)和第一PMOS管(MP1)的栅极以及第四PMOS管(MP4)和第三NMOS管(MN3)的漏极；/n第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)和第六PMOS管(MP6)的源极连接所述供电电压(VDDH)；/n第四电阻(R4)和第五电阻(R5)串联并接在所述供电电压(VDDH)和所述比较器模块的第二输入端之间，第三电阻(R3)接在所述比较器模块的第二输入端和地之间；/n第二PMOS管(MP2)的栅极连接第一PMOS管(MP1)和第一NMOS管(MN1)的漏极，其漏极通过第六电阻(R6)后连接第四电阻(R4)和第五电阻(R5)的串联点；/n第二NMOS管(MN2)的栅极连接第三PMOS管(MP3)的栅极和所述比较器模块的输出端，其源极连接第一NMOS管(MN1)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)和第五NMOS管(MN5)的源极并接地，其漏极连接第三PMOS管(MP3)的漏极、第三NMOS管(MN3)和第四PMOS管(MP4)的栅极；/n第五NMOS管(MN5)的栅极连接第六PMOS管(MP6)的栅极、第四NMOS管(MN4)和第五PMOS管(MP5)的漏极，其漏极连接第六PMOS管(MP6)的漏极并作为所述电压检测电路的输出端。/n