[发明专利]坩埚结构及其制作方法与硅晶结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810372671.9 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108796617A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 叶泽萌;蔡亚陆 | 申请（专利权）人： | 友达晶材股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06;C30B28/06;C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种坩埚结构及其制作方法与硅晶结构及其制作方法。坩埚结构，适于制作一硅晶结构。坩埚结构包括一坩埚本体以及一离型涂层。坩埚本体的材料包括二氧化硅。离型涂层直接覆盖坩埚本体，且离型涂层的材料包括硅酸钡。硅酸钡为一连续膜层用以接触硅晶结构，而离型涂层的厚度介于35微米至350微米之间。 | ||
| 搜索关键词： | 离型涂层 坩埚结构 硅晶 坩埚本体 制作 硅酸钡 二氧化硅 连续膜层 直接覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种坩埚结构，适于制作硅晶结构，其特征在于，该坩埚结构包括：坩埚本体，该坩埚本体的材料包括二氧化硅；以及离型涂层，直接覆盖该坩埚本体，该离型涂层的材料包括硅酸钡，其中该硅酸钡为连续膜层，用以接触该硅晶结构，而该离型涂层的厚度介于35微米至350微米之间。
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