[发明专利]一种氮氧化铝基体的荧光陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201810352647.9 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN110386820B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 田梓峰;周萌;许颜正 | 申请(专利权)人: | 深圳光峰科技股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/64;C09K11/77 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;姚鹏 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种复相荧光陶瓷,所述复相荧光陶瓷包括作为基体相的氮氧化铝相、均匀分布在所述基体相中的荧光粉以及与所述荧光粉和所述氮氧化铝相混合在一起的氧化铝相。所述复相荧光陶瓷的制备方法通过使荧光粉或氮氧化铝的表面包覆一层氧化铝、然后与氮氧化铝或荧光粉复合烧结来形成所述复相荧光陶瓷;或者通过使氮氧化铝、氧化铝和荧光粉均匀混合球磨、然后一起烧结来形成所述复相荧光陶瓷。根据本发明的复相荧光陶瓷是一种具有高的发光效率、高的热导率、优异的耐热震性能和优异的机械强度的荧光陶瓷,可被高功率激发光源激发,实现高亮度的半导体光源,如高功率白光LED光源、蓝光激光光源等。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化铝 基体 荧光 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种复相荧光陶瓷,其特征在于,所述复相荧光陶瓷包括作为基体相的氮氧化铝相、均匀分布在所述基体相中的荧光粉以及与所述荧光粉和所述氮氧化铝相混合在一起的氧化铝相。
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