[发明专利]一种钨酸根离子印迹陶瓷膜的制备方法以及含钨废水的处理方法有效

专利信息
申请号: 201810331940.7 申请日: 2018-04-13
公开(公告)号: CN108452779B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 曾坚贤;董志辉;郑柏树;周虎;吕超强;曾杰辉;马溢昌 申请(专利权)人: 湖南科技大学
主分类号: B01J20/26 分类号: B01J20/26;B01J20/30;C02F1/28
代理公司: 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司 44380 代理人: 黄美成
地址: 411201*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明属于离子印迹技术领域,具体涉及一种钨酸根离子印迹陶瓷膜的制备方法以及含钨废水的处理方法,所述钨酸根离子印迹陶瓷膜的制备方法包括如下步骤:(1)聚乙烯亚胺和聚多巴胺共沉积的陶瓷膜的制备;(2)聚乙烯亚胺和聚多巴胺共沉积的陶瓷膜与钨酸根离子吸附反应;(3)将吸附饱和的共沉积的陶瓷膜浸入到戊二醛的乙醇溶液中,反应完全后真空处理预定时间;(4)模板离子的洗脱。本发明制备的钨酸根离子印迹陶瓷膜不仅对钨酸根离子拥有高的吸附性能,同时便显出卓越的选择性和超快速的吸附速率,而且结构性能稳定,陶瓷膜表面的印迹材料分布均匀,二者结合性能好,不易脱落,该印迹陶瓷膜的可重复利用性能优异。
搜索关键词: 一种 酸根 离子 印迹 陶瓷膜 制备 方法 以及 废水 处理
【主权项】:
1.一种钨酸根离子印迹陶瓷膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)聚乙烯亚胺和聚多巴胺共沉积的陶瓷膜的制备:将多巴胺盐酸盐和聚乙烯亚胺按预定的比例溶解到Tris‑HCl缓冲液中,将催化剂硫酸铜与H2O2加入上述混合溶液中得到沉积液,然后将用乙醇打湿的氧化铝陶瓷膜浸入到所述沉积液中,在预定温度下反应预定时间,反应完成后取出陶瓷膜用去离子水洗涤并浸泡预定时间,干燥后得到聚乙烯亚胺和聚多巴胺共沉积的陶瓷膜;(2)将步骤(1)中制备的聚乙烯亚胺和聚多巴胺共沉积的陶瓷膜浸入到预定浓度的钨酸根离子的水溶液中,反应预定时间直至吸附饱和;(3)将步骤(2)中达到吸附饱和状态的聚乙烯亚胺和聚多巴胺共沉积的陶瓷膜浸入到浓度为预定浓度的戊二醛的乙醇溶液中,预定温度下反应预定时间,反应完全后将完成交联的聚乙烯亚胺和聚多巴胺共沉积的陶瓷膜真空处理预定时间;(4)模板离子的洗脱:用预定浓度的Na2CO3/NaCl混合溶液对步骤(3)中进行模板离子的洗脱,直至洗脱液中不含钨酸根离子,再用去离子水洗涤至中性,干燥,得到钨酸根离子印迹陶瓷膜。
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