[发明专利]一种超薄散热性能优良的磁场屏蔽片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810318746.5 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108235677A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 曾志超;鲁晓燕;田忆兰;刘仲武 | 申请（专利权）人： | 深圳市驭能科技有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;H02J50/70;H05K7/20 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于电子材料领域，公开了一种超薄散热性能优良的磁场屏蔽片及其制备方法。将非晶纳米晶带材在550～650℃温度下热处理，得到厚度为7～22μm的纳米晶带材；在所得纳米晶带材的单面或双面使用厚度为3～5μm的导热双面胶进行复胶处理，然后将纳米晶带材碎化为间隙为0.1～5μm的不连续单体，最后将多层碎化后的纳米晶带材层压复合，得到所述超薄散热性能优良的磁场屏蔽片。本发明的方法可以将纳米晶带材做到更薄，由传统的25μm以上降低至7～22μm，并进一步采用金属箔或者石墨片进行包边处理，显著降低了磁场屏蔽片的厚度并提高了散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米晶 带材 磁场屏蔽 散热性能 制备 电子材料领域 导热双面胶 热处理 层压复合 双面使用 不连续 传统的 金属箔 石墨片 包边 多层 非晶 复胶 碎化 | ||
【主权项】：
1.一种超薄散热性能优良的磁场屏蔽片的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)将非晶纳米晶带材在550～650℃温度下热处理30～100min，得到厚度为7～22μm的纳米晶带材；(2)在步骤(1)所得纳米晶带材的单面或双面使用厚度为3～5μm的导热双面胶进行复胶处理；(3)将步骤(2)所得复胶处理后的纳米晶带材进行碎化处理，将纳米晶带材碎化为间隙为0.1～5μm的不连续单体；(4)将步骤(3)处理后的纳米晶带材在导热双面胶的黏合作用下多层压合，得到所述超薄散热性能优良的磁场屏蔽片。
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