[发明专利]一种多孔膜基底调控的MOFs纳米晶材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810317797.6 申请日: 2018-04-10
公开(公告)号: CN108395542B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 刘瑞娜;任李培;徐卫林;肖杏芳;赵三平 申请(专利权)人: 武汉纺织大学
主分类号: C08G83/00 分类号: C08G83/00
代理公司: 武汉泰山北斗专利代理事务所(特殊普通合伙) 42250 代理人: 程千慧
地址: 430200 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种多孔膜基底调控的MOFs纳米晶材料的制备方法,主要包括以下步骤:(1)将多孔膜基底、金属离子、多羧酸和阻断剂置于水热釜中,以去离子水为介质;(2)加热,进行水热反应;(3)降温、取出洗涤,得到MOFs纳米晶,该方法能够解决目前制备MOFs材料尺寸较大并且不可控的问题,本发明提供的方法能够使MOFs材料的尺寸降到纳米级别,并且对MOFs材料的尺寸可以调控。
搜索关键词: 一种 多孔 基底 调控 mofs 纳米 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种多孔膜基底调控的MOFs纳米晶材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)将多孔膜基底、金属离子、多羧酸和阻断剂置于水热釜中,以去离子水为介质;(2)加热,进行水热反应;(3)降温、取出洗涤,得到MOFs纳米晶。
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