[发明专利]低温电化学生产硅在审
| 申请号： | 201810315595.8 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108690995A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 金松;董轶凡;T·斯莱德 | 申请（专利权）人： | 威斯康星校友研究基金会 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C25B9/06;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 美国威*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于电化学生产硅的方法，包括使用一种施加于阳极和阴极上的电势用以在阴极处提供电子。所述阳极和所述阴极在反应温度下与电解质熔融体进行接触。所述电解质熔融体包括一种熔融盐或者一种熔融盐的混合物；一种含硅前体，所述含硅前体至少部分地溶解于所述电解质熔融体中用来提供在电解质熔融体中的可溶性含硅离子；以及一种辅助电解质，所述辅助电解质至少部分地溶解于电解质熔融体中用来在电解质熔融体中提供O2‑离子。所述可溶性含硅离子在阴极处通过与电子发生还原反应，从而在阴极上释放O2‑离子同时沉积硅。 | ||
| 搜索关键词： | 电解质 熔融体 阴极 辅助电解质 含硅前体 阳极 硅离子 熔融盐 离子 溶解 低温电化学 电化学 电子发生 还原反应 混合物 沉积 电势 施加 释放 生产 | ||
【主权项】：
1.一种用于电化学生产硅的方法，所述方法包括使用一种施加于阳极和阴极上用来在阴极上提供电子的电势，所述阳极和所述阴极在反应温度下与一种电解质熔融体进行接触，其中所述电解质熔融体包括：一种熔融盐或者一种熔融盐的混合物；一种含硅前体，其至少部分地溶解于所述电解质熔融体中用以在所述电解质熔融体中提供可溶性含硅离子；以及一种辅助电解质，其至少部分地溶解于所述电解质熔融体中用以在所述电解质熔融体中提供O2‑离子；并且进一步其中在阴极上的可溶性含硅离子与所述电子发生还原反应从而在阴极出释放O2‑离子同时沉积硅。
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