[发明专利]一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810310621.8 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108565333B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 朱厚彬;胡卉;薛海蛟;张秀全;李真宇 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L37/02 | 分类号： | H01L37/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李婷;尹淑梅 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新区综合保税区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 提供了一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法。所述双面带电极的超薄晶片包括超薄晶片以及分别设置在超薄晶片的两个面上的第一金属电极和第二金属电极，其中，所述超薄晶片的厚度为2μm～100μm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 电极 超薄 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双面带电极的超薄晶片，其特征在于，所述双面带电极的超薄晶片包括超薄晶片以及分别设置在超薄晶片的两个面上的第一金属电极和第二金属电极，其中，所述超薄晶片的厚度为2μm～100μm。
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