[发明专利]缝槽型波导结构及其制造方法、使用该波导结构的MZI结构在审

专利信息
申请号: 201810293462.5 申请日: 2018-04-03
公开(公告)号: CN108318968A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 常丽敏;李智勇;刘磊;俞育德 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/125;G02B6/136;G02B6/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 谢海燕
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种缝槽型波导结构及其制造方法、和使用缝槽型波导结构的MZI(Mach‑Zehnder Interference:马赫曾德尔干涉)结构,通过在沿光传播方向延伸的缝槽状低折射率波导的两侧分别设置高折射率波导来构成缝槽型波导结构,其中利用低高折射率波导间的边界限定而使所传输的光信号被限制在低折射率波导中,从而降低了光信号在波导结构中的散射和吸收,降低了光信号在波导结构的传输损耗,由此可以降低移相臂的波导结构间的损耗差值大所导致的MZI结构的滤波器的输出信号损耗和串扰。另外,缝槽型波导结构和MZI结构可以采用与CMOS兼容的微纳加工工艺实现,可以应用于滤波器、波分复用等领域。
搜索关键词: 波导结构 缝槽 波导 滤波器 低折射率 高折射率 光传播方向 边界限定 波分复用 传输损耗 工艺实现 输出信号 微纳加工 移相臂 散射 串扰 制造 兼容 传输 干涉 吸收 延伸 应用
【主权项】:
1.一种缝槽型波导结构,包括:低折射率波导,其呈缝槽状,且沿光传播方向延伸;高折射率波导,其设置在所述低折射率波导的两侧;其中,在所述高折射率波导之间夹设有所述低折射率波导,光信号在所述缝槽型波导结构中被限制在所述低折射率波导传输。
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