[发明专利]光掩模坯料的制造方法在审
申请号: | 201810284727.5 | 申请日: | 2018-04-02 |
公开(公告)号: | CN108693699A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 木下隆裕 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F1/72;G03F1/80 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李英艳;张永康 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光掩模坯料的制造方法,其能够减少由于清洗工序等而发生的硬掩模膜上的穿透型针孔缺陷的发生风险。本发明是一种光掩模坯料的制造方法,所述方法先在对曝光光线具有透明性的基板上形成图案形成膜,并在图案形成膜上形成膜厚T的硬掩模膜,所述方法的特征在于:在形成硬掩模膜时,利用重复2次以上的薄膜成长工序与通过清洗来去除薄膜上的异物的工序来形成膜厚T的硬掩模膜,所述薄膜具有比前述硬掩模膜的膜厚T更小的膜厚。 | ||
搜索关键词: | 硬掩模膜 膜厚 光掩模坯料 薄膜 图案形成 制造 成长工序 曝光光线 清洗工序 针孔缺陷 穿透型 异物 基板 去除 清洗 重复 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模坯料的制造方法,所述方法先在对曝光光线具有透明性的基板上形成图案形成膜,并在所述图案形成膜上形成膜厚T的硬掩模膜,所述方法的特征在于:在形成所述硬掩模膜时,利用重复2次以上的薄膜成长工序与通过清洗来去除所述薄膜上的异物的工序来形成所述膜厚T的硬掩模膜,所述薄膜具有比所述硬掩模膜的膜厚T更小的膜厚。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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