[发明专利]基于磁集聚器和磁纳米颗粒复合材料的微型磁电容传感器有效
| 申请号： | 201810226970.1 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108469592B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 张晓明;刘俊;毕钰;唐军;马宗敏 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源;武建云 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于磁集聚器和纳米磁颗粒复合材料的微型磁电容传感器件，包括SOI基底、两个磁场集聚器、磁纳米颗粒复合材料磁电容敏感单元、左金属电极板和右金属电极板；两个磁场集聚器和磁纳米颗粒复合材料磁电容敏感单元位于将SOI基底的顶层低阻Si图形化刻蚀后的SiO |
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| 搜索关键词： | 基于 集聚 纳米 颗粒 复合材料 微型 磁电 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁集聚器和磁纳米颗粒复合材料的微型磁电容传感器，其特征在于：包括SOI基底（1）、两个磁场集聚器（2）、磁纳米颗粒复合材料磁电容敏感单元（3）、左金属电极板（4）和右金属电极板（5）；所述SOI基底（1）包含顶层低阻Si（11）、中间掩埋层SiO2（12）和底层Si（13）；两个磁场集聚器（2）和磁纳米颗粒复合材料磁电容敏感单元（3）位于将SOI基底（1）的顶层低阻Si（11）图形化刻蚀后的中间掩埋层SiO2（12）表面；两个磁场集聚器（2）呈左右对称状布置；磁纳米颗粒复合材料磁电容敏感单元（3）位于两个磁场集聚器之间的间隙处，磁纳米颗粒复合材料磁电容敏感单元（3）的两侧分别为左金属电极板（4）和右金属电极板（5）、且其周围刻蚀出中间掩埋层SiO2。
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