[发明专利]一株层出镰孢菌的培养方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201810221213.5 申请日: 2018-03-17
公开(公告)号: CN108531404B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 朱海霞;马永强;郭青云;程亮;魏有海;郭良芝;翁华;李玮;陈红雨 申请(专利权)人: 青海省农林科学院
主分类号: C12N1/14 分类号: C12N1/14;A01P13/00;C12R1/77
代理公司: 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人: 董芙蓉
地址: 810016 青*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 发明公开了一株层出镰孢菌的培养方法,该菌株为5号菌株层出镰刀菌,已于2017年11月22日保藏在中国北京市朝阳区北辰西路1号院3号中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,保藏编号为CGMCC No.14798,固体发酵基质为麦麸,培养条件为:N源(NH4)2SO443mg/g、C源玉米粉48.4mg/g、培养基质初始含水量为258mg/g、接种量为0.26mL/g、初始pH值7.6、培养时间120h、培养温度是30.7℃。本发明利用廉价的麦麸作为固体发酵基质,大大降低了成本,为该菌制剂的工业化规模生产提供了技术支撑。
搜索关键词: 层出 镰孢菌 培养 方法 及其 应用
【主权项】:
1.一株层出镰孢菌的培养方法,其特征在于,该菌株为5号菌株层出镰刀菌,已于2017年11月22日保藏在中国北京市朝阳区北辰西路1号院3号中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,保藏编号为CGMCC No.14798,固体发酵基质为麦麸,培养条件为:N源(NH4)2SO443mg/g、C源玉米粉48.4mg/g、培养基质初始含水量为258mg/g、接种量为0.26mL/g、初始pH值7.6、培养时间120h、培养温度是30.7℃。
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