[发明专利]一株层出镰孢菌的培养方法及其应用有效
申请号: | 201810221213.5 | 申请日: | 2018-03-17 |
公开(公告)号: | CN108531404B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 朱海霞;马永强;郭青云;程亮;魏有海;郭良芝;翁华;李玮;陈红雨 | 申请(专利权)人: | 青海省农林科学院 |
主分类号: | C12N1/14 | 分类号: | C12N1/14;A01P13/00;C12R1/77 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 董芙蓉 |
地址: | 810016 青*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: |
本发明公开了一株层出镰孢菌的培养方法,该菌株为5号菌株层出镰刀菌,已于2017年11月22日保藏在中国北京市朝阳区北辰西路1号院3号中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,保藏编号为CGMCC No.14798,固体发酵基质为麦麸,培养条件为:N源(NH |
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搜索关键词: | 层出 镰孢菌 培养 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一株层出镰孢菌的培养方法,其特征在于,该菌株为5号菌株层出镰刀菌,已于2017年11月22日保藏在中国北京市朝阳区北辰西路1号院3号中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,保藏编号为CGMCC No.14798,固体发酵基质为麦麸,培养条件为:N源(NH4)2SO443mg/g、C源玉米粉48.4mg/g、培养基质初始含水量为258mg/g、接种量为0.26mL/g、初始pH值7.6、培养时间120h、培养温度是30.7℃。
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