[发明专利]一种Flyback变换器磁芯损耗计算方法在审
申请号: | 201810187647.8 | 申请日: | 2018-03-07 |
公开(公告)号: | CN108509687A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 周岩;张宇飞 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种Flyback变换器磁芯损耗计算方法,在确定占空比D=0.5时磁通密度变化量条件下,通过分析Flyback变换器电路的工作原理,建立磁滞损耗、涡流损耗与占空比之间的关系式,预测磁芯在Flyback变换器占空比改变时的磁芯损耗变化规律。本发明物理概念清晰,计算过程简单,可有效预测Flyback变换器输出电感中磁芯材料在不同占空比条件下的损耗大小。 | ||
搜索关键词: | 占空比 磁芯损耗 变化规律 磁芯材料 磁滞损耗 工作原理 计算过程 密度变化 输出电感 涡流损耗 物理概念 预测 磁通 磁芯 电路 清晰 分析 | ||
【主权项】:
1.一种Flyback变换器磁芯损耗计算方法,其特征在于:包括步骤:(1)根据输入电压、输出电压确定磁芯工作的占空比范围,计算Flyback变换器在占空比为0.5时的磁通密度变化量Bpp;(2)根据Flyback变换器在D=0.5时所确定的频率f、直流偏置Idc和磁通密度变化量Bpp,测试相同条件下的正弦激励损耗数据,并分离正弦激励损耗,计算磁滞损耗分量和涡流损耗分量;(3)根据Flyback变换器的工作原理,计算不同占空比条件下磁滞损耗和涡流损耗的变化规律,得到Flyback变换器在不同占空比下总的磁芯损耗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810187647.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。