[发明专利]一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810180973.6 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108359939B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李晓娜;王辰玉;程肖甜;利助民;于庆潇 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人： | 杨翠翠;花向阳 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：(Al |
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| 搜索关键词： | 一种 可变 alcocrfeni 合金 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜，其特征在于：该薄膜具有如下通式：(AlyCoCrFeNi)1‑xOx，随x=0.3～0.7，y=0～1.0变化，该材料的带隙宽度在2.20～4.20 eV区间可调，磁控溅射靶材Al:Co:Cr:Fe:Ni的原子比为y:1:1:1:1；该薄膜呈纳米晶或非晶态，AlCoCrFeNi整体氧化。
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