[发明专利]一种具有抗工艺角变化和宽电压追踪范围的电压基准电路

摘要

本发明提供了一种具有抗工艺角变化和宽电压追踪范围的基准电压电路，包括偏置电压产生电路、单位增益缓冲电路、基准电压产生电路。偏置电压产生电路能产生一个不随工艺角变化的电压，经单位增益缓冲电路后，为基准电压产生电路提供稳定的偏置电压，从而使得基准电压产生电路输出抗工艺角变化的基准电压；输出电压能在宽电压范围内线性跟随电源电压的变化；输出电压在不同的工作电压下均具有非常低的温度系数。本发明公开的具有抗工艺角变化和宽电压追踪范围的基准电压电路具备结构简单、与工艺角无关、电压追踪准确、温度系数低、无电阻、无双极型晶体管等优点。

主权项

1.一种具有抗工艺角变化和宽电压追踪范围的电压基准电路包括：偏置电压产生电路，单位缓冲电路，基准电压产生电路；其特征在于，偏置电压产生电路包括：第一PMOS管，第二PMOS管，第三PMOS管，第四PMOS管，基准电压产生电路包括，第一NMOS管，第二NMOS管，其中，所述偏置电压产生电路中的四个PMOS管均需要独立N阱偏置；所述第一PMOS管源端与电源端子相连，衬底端和源端相连，栅端和漏端相连，漏端和第二PMOS管源端和衬底端相连；所述第二PMOS管衬底端和源端相连，栅端和漏端相连，漏端和第三PMOS管源端和衬底端相连；所述第三PMOS管衬底端和源端相连，栅端和漏端相连，漏端和第四PMOS管源端和衬底端相连；所述第四PMOS管衬底端和源端相连，栅端和漏端相连，漏端和接地端子相连；所述单位缓冲电路包括一个运算放大器，其正输入端与所述偏置电压产生电路第三PMOS管栅端相连，负输入端与其输出端相连，输出端与所述基准电压产生电路第一NMOS管栅端相连；所述第一NMOS管漏端与电源电压相连，衬底端与地相连，源端与所述第二NMOS管漏端、所述电压基准电路输出端相连；所述第二NMOS管漏端与其栅端相连，衬底端和源端同时与地相连。