[发明专利]一种基于砷化镓工艺的介质集成波导滤波器

摘要

本发明公开了一种基于砷化镓工艺的介质集成波导滤波器，滤基于多模谐振腔研制而成，通过合理的设计多模谐振腔的尺寸可以使得电磁波在多模谐振腔内产生电磁相消现象，从而可以产生传输零点；通过采用改变腔体长宽比的技术手段，可以使得传输零点的位置变得可控，因而可以在滤波器在靠近通带的低端和高端分别设计一个传输零点，使得该滤波器具有高频率选择性；采用70um砷化镓工艺研制而成，两端均为GSG结构，该滤波器芯片可以与其他基于70um砷化镓工艺的W波段有源芯片集成；既可以采用芯片‑芯片的直接互联形式，也可以直接将该滤波器和其它芯片集成在同一个芯片上。

主权项

1.一种滤波器，其特征在于，包括由上层金属镀层(11)、GaAs介质基板层(10)以及下层金属镀层(12)构成的基片，所述基片上次序设置有输入GSG结构(301)、4个依次连接的谐振腔以及输出GSG结构(302)；所述4个谐振腔均为由所述基片上开设的金属化过孔围成的矩形腔；从输入GSG结构(301)至输出GSG结构(302)方向，所述4个谐振腔分别定义为第一、第二、第三以及第四谐振腔；所述第一谐振腔和第四谐振腔的主谐振模式均为TE301，寄生谐振模式均为TE102，该两个谐振腔的长度l和宽度w由以下公式确定：以及其中，fZ为设定的传输零点的频率位置；M1/M3和M2/M4分别表示主谐振模式和寄生谐振模式在对应谐振腔输入端口和输出端口的耦合系数的比值；b2表示寄生谐振模式呈现的电抗值；FBW为滤波器的相对带宽；f102表示寄生模式的谐振频率；f0表示滤波器中心频率；c表示电磁波在真空中的传播速度。