[发明专利]基于超材料的太赫兹带阻滤波器单元及太赫兹带阻滤波器在审
申请号: | 201810118598.2 | 申请日: | 2018-02-06 |
公开(公告)号: | CN108376817A | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 颜世桃;郑渚;杨彬;丁庆;李程 | 申请(专利权)人: | 雄安华讯方舟科技有限公司;深圳市太赫兹科技创新研究院 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 黄晶晶 |
地址: | 071700 河北省保定市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于超材料的太赫兹带阻滤波器单元,包括第一谐振器、第一介质层及第二谐振器;所述第一谐振器、所述第一介质层及所述第二谐振器依次层叠设置;所述第一谐振器为卍或卐字形片状结构,所述第二谐振器为卍或卐字形片状结构;所述第一谐振器与所述第二谐振器的结构相同,所述第一谐振器与所述第二谐振器的尺寸呈放缩比例关系。所制备的太赫兹带阻滤波器单元对太赫兹频段范围内的电磁波的入射方向不敏感,从而实现了宽角度入射,同时也起到拓宽可衰减或可反射的太赫兹频段范围的作用。 | ||
搜索关键词: | 谐振器 带阻滤波器 片状结构 超材料 介质层 频段 入射方向 依次层叠 电磁波 不敏感 反射 入射 衰减 制备 | ||
【主权项】:
1.一种基于超材料的太赫兹带阻滤波器单元,其特征在于,包括第一谐振器、第一介质层及第二谐振器;所述第一谐振器、所述第一介质层及所述第二谐振器依次层叠设置;所述第一谐振器为卍或卐字形片状结构,所述第二谐振器为卍或卐字形片状结构;所述第一谐振器与所述第二谐振器的结构相同,所述第一谐振器与所述第二谐振器的尺寸呈放缩比例关系。
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