[发明专利]基于碳纳米管的二维传感器制作方法

摘要

本发明提供一种基于碳纳米管的二维传感器制作方法，首先，通过化学气相沉积法来制备碳纳米管；再将碳纳米管制备成单轴样品和双轴样品，从而制得单轴二维传感器和双轴二维传感器。采用该方法制得的二维传感器在相互垂直的水平方向和垂直方向上均具有很好的电阻变化率，传感器灵敏性好。

主权项

1.一种基于碳纳米管的二维传感器制作方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：通过化学气相沉积法来制备碳纳米管；步骤1.1：把放置在硅晶片上的铁(1nm)/三氧化二铝(10nm)作为催化剂，乙烯作为碳源，使用氩和氢气混合气体作为载流气体，维持750℃的环境温度，在催化剂表面形成多壁碳纳米管CNT，把CNT阵列通过化学气相沉积合成在石英管式炉上；步骤1.2：再用刀片把CNT薄片从CNT阵列上刮下来；在CNT阵列的边缘部分，用刀刃粘附着拉伸的CNT，然后不断抽出来，形成一张CNT薄片；步骤2：样品制备，所述样品制备包括单轴样品制备或双轴样品制备；所述单轴样品制备包括以下步骤：取一块SEBS橡胶，把它横向和纵向分别进行拉伸；取两段CNT薄片横向放置在SEBS橡胶上，得到单轴二维传感器，完成单轴样品的制作；所述双轴样品制备包括以下步骤：取一块SEBS橡胶，把它横向和纵向分别进行拉伸；取一段CNT薄片横向放置在SEBS橡胶上，再取一段CNT薄片纵向放置在SEBS橡胶上，得到双轴二维传感器，完成双轴样品的制作。