[发明专利]CMP研磨方法有效
| 申请号： | 201810112566.1 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108406575B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 林佳佳;张震宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种首先预设两套CMP参数，其研磨后的薄膜表面的特征分为两组；以硅片上直径为X轴，圆心为原点，在X轴上分别采集多个不同位置的两套CMP研磨参数所对应研磨速率A和B，然后分别拟合出速率A和B的一个关于X轴的二次多项式，根据这两个2次多项式的系数拟合出最佳配比；将2套速率的作业时间按所述配比进行分配，即可得出由参数A和B整合出的最平坦速率C。计算当前薄膜的面内差值，然后选用A和B参数中相对的速率进行研磨时间调整；即当薄膜呈凹面时，增加速率为凹线的那套参数的研磨时间；当薄膜呈凸面时，增加速率为凸线的参数研磨时间。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMP研磨方法，其特征在于：首先预设两套CMP参数，其研磨后的薄膜表面的特征分为两组；以硅片上直径为X轴，圆心为原点，在X轴上分别采集多个不同位置的两套CMP研磨参数所对应研磨速率A和B，然后分别拟合出速率A和B的一个关于X轴的二次多项式，根据这两个2次多项式的系数拟合出最佳配比；将2套速率的作业时间按所述配比进行分配，即可得出由参数A和B整合出的最平坦速率C。
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