[发明专利]一种具有VFTO抑制功能的盆式绝缘子及其制备方法在审
| 申请号： | 201810102505.7 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108305726A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 何金良;胡军;林川杰;李传扬;刘卫东;李琦;张波 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01B17/14 | 分类号： | H01B17/14;H01B17/38;H01B19/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及电工技术设备制造技术领域，具体涉及一种具有VFTO抑制功能的盆式绝缘子及其制备方法。在GIS设备的实际运行中，VFTO导致的不明闪络，以及二次侧设备损坏案例仍然时有发生，但是目前对VFTO抑制方法必须改变现有设备结构。本申请提供一种具有VFTO抑制功能的盆式绝缘子，包括中央嵌件，所述中央嵌件内设置有抗干扰部件，所述抗干扰部件与所述中央嵌件胶封。该设备能够通过引入磁环改变盆式绝缘子的高频电路参数，增加行波能量的损耗，阻尼行波的传播，从而抑制VFTO。 | ||
| 搜索关键词： | 盆式绝缘子 嵌件 抗干扰部件 行波 制备 设备制造技术 电工技术 高频电路 设备损坏 现有设备 磁环 次侧 胶封 闪络 申请 引入 传播 | ||
【主权项】：
1.一种具有VFTO抑制功能的盆式绝缘子，包括中央嵌件(1)，其特征在于，所述中央嵌件(1)内设置有抗干扰部件(2)，所述抗干扰部件(2)与所述中央嵌件(1)胶封。
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