[发明专利]晶体培植工艺环境振动影响定量快速评估技术

摘要

本发明公开了一种晶体培植工艺环境振动影响定量快速评估方法，包括：步骤(1)，获取晶体培植结构的前3阶振型频率f1、f2、f3；步骤(2)，根据晶体培植结构的工艺设计确定晶体培植结构的振动响应容许目标[R]；步骤(3)，测试环境振动卓越频带中心频率fL；步骤(4)，在前2阶振型质量累加参与系数大于80％的条件下，判断是否满足f3/f1＞10且f3/f2＞10，如满足则进行步骤(5)；步骤(5)，判断是否满足如满足则进行步骤(6)；步骤(6)，计算单自由度单质点动力模型响应RS，双自由度单质点动力模型响应RD，x和RD，y，并判断x、y方向矢量和的最大响应值RD，然后比较RS以及RD以取最大值；步骤(7)，判断RS和RD中最大值是否小于[R]，如小于则判断振动环境对晶体培植设备无影响。

主权项

1.一种晶体培植工艺环境振动影响定量快速评估方法，包括：步骤(1)，获取晶体培植结构的前3阶振型频率f1、f2、f3；步骤(2)，根据晶体培植结构的工艺设计确定晶体培植结构的振动响应容许目标[R]；步骤(3)，测试环境振动卓越频带中心频率fL；步骤(4)，在前2阶振型质量累加参与系数大于80％的条件下，判断是否满足f3/f1＞10且f3/f2＞10，如果满足则进行步骤(5)；步骤(5)，判断是否满足如果满足则进行步骤(6)；步骤(6)，计算单自由度单质点动力模型响应RS，双自由度单质点动力模型响应RD，N和RD，y，并判断x、y方向矢量和的最大响应值RD，然后比较RS以及RD以取最大值；步骤(7)，判断RS和RD中的最大值是否小于[R]，如果小于则判断振动环境对晶体培植设备无影响；其中，F为载荷，m为质量，Po为力的幅值，ωn为固有振荡频率，ω1为第一方向1的扰动频率、ω2第二方向的扰动频率，δ为虚位移转角、k为刚度、ζ为阻尼比。