[发明专利]干式清洁陶瓷物品的方法有效
申请号: | 201810096333.7 | 申请日: | 2013-02-20 |
公开(公告)号: | CN108249957B | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | J·Y·孙;R-g·段;B·R·卡农戈;D·卢博米尔斯基 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C04B41/80 | 分类号: | C04B41/80;C04B41/91 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨学春;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及干式清洁陶瓷物品的方法。本文提供了一种具有陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品,其中该陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始裂缝量。该陶瓷物品以约每分钟0.1℃至约每分钟20℃的升降温速率被加热至介于约1000℃与约1800℃间的温度范围。以该温度范围内的一或多个温度热处理该陶瓷物品达约24小时的历时。接着以该升降温速率来冷却该陶瓷物品,其中在热处理之后,该陶瓷涂层具有降低的孔隙度与降低的裂缝量。 | ||
搜索关键词: | 清洁 陶瓷 物品 方法 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:接收已在等离子体蚀刻工艺中使用的经热处理的陶瓷物品,所述陶瓷物品包括陶瓷基板和陶瓷涂层,其中所述陶瓷涂层具有因所述等离子体蚀刻工艺引起的初始表面缺陷密度;以约每分钟0.1℃至约每分钟20℃的升降温速率,将所述陶瓷物品加热至介于约1000℃与约1800℃之间的温度范围;以所述温度范围内的一或多个温度热处理所述陶瓷物品长达约24小时的历时,以减小因所述等离子体蚀刻工艺引起的所述表面缺陷密度;以及在所述热处理之后以所述升降温速率来冷却所述陶瓷物品,其中在完成所述热处理之后,所述经热处理的陶瓷物品具有在因所述等离子体蚀刻工艺引起的所述表面缺陷密度的水平之下的新表面缺陷密度水平。
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