[发明专利]一种面向SiO2/C负极的表面修饰方法在审
| 申请号： | 201810096319.7 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108390030A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 向勇;彭邦恒;黄玥;宋世湃 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于锂离子电池技术领域，提供一种面向SiO2/C负极的表面修饰方法；本发明通过物理气相沉积(PVD)或者原子层淀积(ALD)的方法，在SiO2/C负极表面沉积一层锂离子导体缓冲层、位于SiO2/C负极与固体电解质之间；所述锂离子导体缓冲层采用Li1+xTi2‑xMx(P O4)3，其中，0≤x<2，M＝Al、Ga、In、Sc；或者La2/3‑xLi3xTiO3；又或者LiOH。通过在SiO2/C负极与固体电解质之间增加一层锂离子导体缓冲层材料，形成人造SEI膜，抑制电极与电解液接触界面之间不良副反应发生，有效提高负极材料的结构稳定性，降低充放电过程中Si O2/C负极体积变化带来的负面影响，从而提高电池循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 锂离子导体 固体电解质 表面修饰 缓冲层 电池循环性能 物理气相沉积 充放电过程 电解液接触 缓冲层材料 结构稳定性 原子层淀积 锂离子电池 负极表面 负极材料 负面影响 体积变化 抑制电极 副反应 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种面向SiO2/C负极的表面修饰方法，其特征在于，在SiO2/C负极表面沉积一层锂离子导体缓冲层、位于SiO2/C负极与固体电解质之间；所述锂离子导体缓冲层采用Li1+xTi2‑xMx(PO4)3，其中，0≤x<2，M＝AL、Ga、In、Sc；或者La2/3‑xLi3xTiO3，其中，0
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