[发明专利]一种Cr2有效

专利信息
申请号: 201810077319.2 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN108330455B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 柯培玲;刘京周;汪爱英;王丽;张栋 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54;C23C14/58;C23C14/06
代理公司: 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 代理人: 单英
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种Cr2AlC相纯度可调控的涂层制备方法,采用磁控溅射技术,在真空腔体中通入氩气和碳氢气体,使用Cr2Al靶和纯Al靶共同溅射,在经过清洗处理的基体表面沉积包含Cr、Al、C三种元素成分的涂层;然后,将所沉积涂层进行真空热处理生成Cr2AlC相;通过控制Cr2Al靶与Al靶的溅射电流调控涂层中Cr2AlC相的质量含量。当Cr2Al靶的溅射电流为2.0A~3.0A,Al靶电流为0.5A~3.0A,Cr2AlC相纯度能够高于65%,有利于Cr2AlC相优异性能的发挥。
搜索关键词: 一种 cr base sub
【主权项】:
1.一种Cr2AlC相纯度可调控的涂层制备方法,采用磁控溅射技术,其特征是:在真空腔体中通入氩气和碳氢气体,使用Cr2Al靶和纯Al靶共同溅射,在经过清洗处理的基体表面沉积包含Cr、Al、C三种元素成分的涂层;然后,将所沉积涂层进行真空热处理生成Cr2AlC相;通过控制Cr2Al靶与Al靶的溅射电流调控涂层中Cr2AlC相的质量含量,即Cr2AlC相纯度。
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