[发明专利]一种Ka波段基片集成波导魔T

摘要

本发明涉及微波器件、传输线技术，具体涉及一种Ka波段基片集成波导魔T。本发明通过SIW魔T下层主波导采用圆楔形金属通孔使H‑T分支匹配，并使用感性金属膜片消除该圆楔形金属通孔产生寄生电容的影响，从而降低H臂端口的回波损耗。而上层E‑T分支由于电耦合会在耦合缝处产生寄生电容，所以使用感性金属块消除其影响，从而降低E臂端口的回波损耗。最终，本发明将SIW魔T的工作带宽提升至2GHz,幅度不平衡度降低至0.1dB。

主权项

1.一种Ka波段基片集成波导魔T，包括设置有耦合缝的上下两层介质基片，其特征在于：所述下层介质基片是魔T的H‑T分支，上层介质基片通过电耦合的方式实现E‑T分支，两层介质基片平行重叠，且上下层介质基片的横向边沿和纵向边沿分别对应平行，波导由介质基片上周期性排列的金属通孔构成；下层介质基片设置有主波导和分支波导，形成轴对称的H‑T分支，分支波导的中心线垂直于主波导的中心线，耦合缝沿H‑T分支波导的对称轴设置；主波导采用圆楔形金属通孔使H‑T分支匹配，该圆楔形金属通孔产生寄生电容，下层基片的耦合缝设置于圆楔形的尖端处，上下两层介质基片的耦合缝位置相对应；所述上层介质基片的E臂设有贯穿上层介质基片的调配金属块，以消除上层E‑T分支由于电耦合会在耦合缝处产生寄生电容的影响；调配金属块的宽度与基片集成波导的厚度相同，其上边沿与下边沿分别在波导的上下平面上。