[发明专利]基于电介质薄膜电容特性的抗激光损伤能力的比较方法在审
| 申请号： | 201810068936.6 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108445046A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 韩敬华;冯国英;范卫星;陈红元;周寿桓 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N27/22 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 李凌峰 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜技术。本发明解决了目前光学薄膜的抗激光损伤能力对比时结果精度不高，且耗时较多的问题，提供了一种基于电介质薄膜电容特性的抗激光损伤能力的比较方法，其技术方案可概括为：针对欲对比的处于光学元件表面的至少两个薄膜，分别在硅基底上模拟镀制对应的相同厚度的薄膜，然后分别制作金属电极构成MOS电容结构，采用半导体标志系统测试各MOS结构的高频电容‑电压曲线，得到各归一化电容与电压的变化曲线，对比各归一化电容与电压的变化曲线，判断其中平带电压向正电压方向移动最大的那一个变化曲线对应的薄膜为抗激光损伤能力最强的薄膜。本发明的有益效果是：简单实用，适用于判断薄膜抗激光损伤能力。 | ||
| 搜索关键词： | 抗激光损伤 薄膜 变化曲线 电介质薄膜电容 电容 归一化 光学元件表面 正电压方向 薄膜技术 标志系统 电压曲线 高频电容 光学薄膜 金属电极 能力对比 平带电压 镀制 硅基 半导体 耗时 测试 移动 制作 | ||
【主权项】：
1.基于电介质薄膜电容特性的抗激光损伤能力的比较方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、针对欲对比的处于光学元件表面的至少两个薄膜，在保持相同镀膜条件下，分别在相同类型的硅基底上镀制相同厚度的薄膜，且确保硅基底上的薄膜与光学元件表面的薄膜一一对应，且特性一致；步骤2、分别在硅基底薄膜上制作金属电极，分别构成MOS电容结构；步骤3、采用半导体标志系统测试各MOS结构的高频电容‑电压曲线，得到各归一化电容与电压的变化曲线；步骤4、对比各归一化电容与电压的变化曲线，判断其中平带电压向正电压方向移动最大的那一个变化曲线对应的薄膜为抗激光损伤能力最强的薄膜。
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