[发明专利]一种功率半导体器件的测试方法有效
| 申请号： | 201810058365.8 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108344936B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 黄昌民;詹小勇;许玉欢 | 申请（专利权）人： | 无锡昌德微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 程爽 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件的测试方法，在常规测试反向漏电流的项目中，增加±IGSS和IDSS项目设定，所述±IGSS和IDSS项目设定为在±IGSS和IDSS测定电压条件下测试反向漏电流，所述功率半导体的测试方法包括如下步骤：步骤1、确定±IGSS测试电压值；步骤2、确定IDSS测试电压值；步骤3、采用确定的±IGSS和IDSS测定电压值对被测产品进行所述反向漏电流测试。通过本发明，以解决现有技术存在的不能检测出带有芯片结构不均匀或者完整性缺陷的功率半导体器件的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件的测试方法，其特征在于，在常规测试反向漏电流的项目中，增加±IGSS和IDSS测试项目，所述±IGSS和IDSS项目设定为在±IGSS和IDSS测定电压条件下测试反向漏电流，所述功率半导体的测试方法包括如下步骤：步骤1：确定±IGSS测试电压值；步骤2：确定IDSS测试电压值；步骤3：采用确定的±IGSS和IDSS测定电压值对被测产品进行所述反向漏电流测试。
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