[发明专利]一种基于二维原子晶体的耐高温忆阻器有效
| 申请号： | 201810050297.0 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108365092B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 缪峰;王淼 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基于二维原子晶体的耐高温忆阻器，所述忆阻器结构是基底上具有底电极/电介质/顶电极的三明治结构；所述的电介质厚度范围从单个原子层(约0.3nm)到1μm；所述的底电极和顶电极由惰性金属材料如铂、金、钯，柔性导电材料如氧化铟锡或包括石墨烯半金属型二维原子晶体材料；所述的电介质由二维原子晶体材料组成；所述基底包括衬底或生长于衬底表面的绝缘材料层，所述衬底材料包括硅、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷，所述绝缘材料包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 原子 晶体 耐高温 忆阻器 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维原子晶体的耐高温忆阻器，其特征在于：所述忆阻器结构是基底上具有底电极/电介质/顶电极的三明治结构；所述的电介质厚度范围从单个原子层到1μm；所述的底电极和顶电极由惰性金属材料如铂、金、钯，柔性导电材料如氧化铟锡或包括石墨烯半金属型二维原子晶体材料；所述的电介质由二维原子晶体材料组成；所述基底包括衬底或生长于衬底表面的绝缘材料层，所述衬底材料包括硅、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷，所述绝缘材料包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810050297.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
