[发明专利]用于半桥二极管的控制电路有效
| 申请号： | 201810037075.5 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108111023B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | B·里韦;G·让夏尔;F·拉努瓦 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于半桥二极管的控制电路。提供一种电路，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一场效应晶体管包括第一二极管以及漏极、源极、栅极和第一附加电极。第二场效应晶体管包括第二二极管以及漏极、源极、栅极和第二附加电极。第一开关选择性地连接第一场效应晶体管的栅极和漏极电极。第二开关选择性地连接第二场效应晶体管的栅极和漏极电极。控制电路控制第一开关和第二开关。第一附加电极耦合至第二场效应晶体管的栅极电极，而第二附加电极耦合至第一场效应晶体管的栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 二极管 控制电路 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包括：第一场效应二极管，包括漏极、源极和栅极电极以及第一附加电极；第二场效应二极管，包括漏极、源极和栅极电极以及第二附加电极；第一开关，连接在所述第一场效应二极管的栅极和所述第一场效应二极管的源极之间，其中在所述第一场效应二极管被反向偏置时断开所述开关；第二开关，连接在所述第二场效应二极管的栅极和所述第二场效应二极管的源极之间；以及被配置为控制所述第一开关和所述第二开关的动作的电路，其中所述第一开关和所述第二开关在所述第一场效应二极管和所述第二场效应二极管被反向偏置的阶段中被控制为同时导通。
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