[发明专利]一种氮掺杂的石墨烯/导电金属复合电缆及其制备方法有效
| 申请号： | 201810021521.3 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108242277B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄太仲 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01B7/00 | 分类号： | H01B7/00;H01B13/00;H01B5/02;C23C16/26 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 李茜 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮掺杂的石墨烯/导电金属复合电缆及其制备方法，该氮掺杂的石墨烯/导电金属复合电缆包括：导电金属本体和包覆在导电金属本体表面的氮掺杂石墨烯层；所述氮掺杂石墨烯层与所述导电金属本体形成同轴结构。本发明的氮掺杂的石墨烯/导电金属复合电缆，以导电金属本体作为支撑体和导电体，同时还作为含氮石墨烯生长的催化剂；包覆在导电金属本体表面的氮掺杂石墨烯层能够降低电缆电阻，增强电缆的导电性；与现有的铜缆相比，在相同直径条件下导电性提高了20％以上，在同样电流的使用负载下，可以降低铜缆的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 导电金属 石墨烯 复合电缆 氮掺杂 氮掺杂石墨烯 导电性 包覆 铜缆 制备 电缆电阻 同轴结构 增强电缆 直径条件 导电体 支撑体 催化剂 生长 | ||
【主权项】：
1.一种氮掺杂的石墨烯/导电金属复合电缆，其特征在于，包括：导电金属本体和包覆在导电金属本体表面的氮掺杂石墨烯层；所述氮掺杂石墨烯层与所述导电金属本体形成同轴结构；所述氮掺杂石墨烯层为多层结构；所述氮掺杂石墨烯层中氮的掺杂量为3‑5％；所述氮掺杂的石墨烯/导电金属复合电缆由如下方法制备而成：(1)对导电金属本体进行清洗，获得清洁表面；(2)将清洗后的导电金属本体加热至300‑1000℃，通入碳源和氮源，在导电金属本体的表面生长氮掺杂的石墨烯；生长完毕后，在还原性气氛下进行冷却，即制备得到氮掺杂的石墨烯/导电金属复合电缆。
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