[发明专利]一种硅胶热烫转移刻字膜或装饰膜的方法

摘要

本发明涉及硅胶制品热烫转移到服装上标识或装饰技术领域，特别是一种硅胶热烫转移刻字膜或装饰膜的方法，包括如下步骤：1）PET电晕面涂离型面：2）一次涂布烘烤：3）离型面上刮涂处理剂B层：4）二次涂布烘烤：5）在处理剂B层表面网滚涂架桥A：6）三次涂布烘烤：7）在架桥A表面网滚涂架桥B：8）四次涂布烘烤：9）热熔胶覆膜：10）产品处理和检测。本发明用于硅胶热烫转移到服装上的标识及装饰，主要是表面手感柔和，抗老化，耐磨性好，环保。同时，采用架桥A和架桥B工艺，耐水洗，不易脱落。

主权项

1.一种硅胶热烫转移刻字膜或装饰膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）PET电晕面涂离型面：将PET进行电晕处理，在其电晕面采用处理剂A进行处理，处理后的图层与PET电晕面分离，表面为哑面，涂层厚度1.5um～2.5um；

2）一次涂布烘烤：采用烘烤涂布机进行烘烤，烘烤涂布的速度是30～50m/min，涂布烘烤温度120～170℃/3～5min；

3）离型面上刮涂硅胶层B：采用硅胶层B在离型面上进行1～3次加工涂层，涂层厚度6～20um（颜色及厚度可以根据市场需求而定）；

4）二次刮涂烘烤：采用烘烤涂布机进行烘烤，烘烤涂布的速度是10～20m/min，涂布烘烤温度120～170℃/10～20min；

5）在硅胶层B层表面网滚涂架桥A：采用处理剂C在硅胶层B层表面网滚涂，涂布厚度2～4um；

6）三次涂布烘烤：采用烘烤涂布机进行烘烤，烘烤涂布的速度是10～30m/min，涂布烘烤温度120～170℃/10～20min；

7）在架桥A表面网滚涂架桥B：采用处理剂D在架桥A表面网滚涂，涂布厚度2～4um；

8）四次涂布烘烤：采用烘烤涂布机进行烘烤，烘烤涂布的速度是10～30m/min，涂布烘烤温度120～170℃/10～20min；

9）热熔胶覆膜：采用环保胶膜SS523，覆膜厚度0.05～0.25um，同时覆离型膜；

10）产品处理和检测：按规格分切材料及修边处理，进行产品检测和确认。

2.如权利要求1所述的硅胶热烫转移刻字膜的方法，其特征在于，在步骤9）中，热熔胶覆膜温度采用50～180℃，速度1～7m/min。

3.如权利要求1所述的硅胶热烫转移刻字膜的方法，其特征在于，所述处理剂A为环保树脂材料SS521。

4.如权利要求1所述的硅胶热烫转移刻字膜的方法，其特征在于，所述硅胶层B为环保硅胶SS513。

5.如权利要求1所述的硅胶热烫转移刻字膜的方法，其特征在于，所述处理剂C为保树脂材料SS519。

6.如权利要求1所述的硅胶热烫转移刻字膜的方法，其特征在于，所述处理剂D为环保树脂材料SS519、环保树脂材料SS507、环保树脂材料SS520按照1:1:0.1比例混合而成。