[发明专利]一种纳米级氧化镓真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法

摘要

本发明公开了一种纳米级氧化稼真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法，由以下步骤组成：纳米级β‑Ga2O3光催化剂的制备以及利用发明制得的纳米级β‑Ga2O3光催化剂光催化降解全氟辛酸。本发明通过采用乙二胺的溶液为添加剂，使镓盐生长为束状的纳米级β‑Ga2O3，其比表面积高达30‑50m2/g，是商品氧化镓的3‑5倍，更大的比表面积意味着暴露了更多的催化活性位点，催化材料具有更好的催化活性；同时本方法以真空紫外作为光源，其与催化材料产生的光生电子具有更高的化学能，且氧化镓作为深紫外区域的半导体材料，对真空紫外的吸收能力更强，因此可更高效的降解全氟辛酸。

主权项

1.一种纳米级氧化稼真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法，其特征在于由以下步骤组成：1）将水和乙二胺以一定的比例进行混合，将镓盐加入上述混合液中配制一定浓度的镓盐溶液，并将pH调节至碱性；2）将步骤1）制得的镓盐溶液置于水热反应釜中，密封后放置于恒温干燥箱中，以恒定的温度加热，反应一定时间后，取出反应釜冷却至室温，将反应釜内产物离心得到沉淀物，用去离子水洗涤，所得沉淀物在40‑80℃烘箱中干燥后得到纳米级β‑Ga2O3前驱物备用；3）将步骤2）制得的前驱物置于马弗炉中，在氮气气氛下，以恒定的升温速率升温至250‑1200℃，恒温焙烧一定时间即可得到纳米级β‑Ga2O3材料，材料经研磨过筛网后即得纳米级氧化镓光催化剂；4）将含全氟辛酸污染物的废水倒入光催化反应器中，以0.05‑1g/L的用量加入步骤3）制得的纳米级β‑Ga2O3光催化剂，氧气经过布气装置均匀进入反应器，打开发射185nm真空紫外线的低压汞灯作为光源，避光反应10‑200min，定时取样检测。