[发明专利]一种带有温度补偿的带隙基准源及电源装置

摘要

本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种带有温度补偿的带隙基准源及电源装置。本发明中的带有温度补偿的带隙基准源包括四个部分：启动电路、运算放大器电路、基准电压产生电路和补偿电路，所述启动电路与所述基准电压产生电路连接并提供启动电压，所述补偿电路与所述基准电压产生电路连接并提供温度补偿。本发明在传统基准电压源的基础上，通过增加补偿电路，降低了输出电压的温度系数，并且具有较高的精度。本发明还提供了一种电源装置，可用于将输入的交流电转化为稳定的直流电压输出。

主权项

1.一种带有温度补偿的带隙基准源，其特征在于，所述带隙基准源包括四个部分：启动电路、运算放大器电路、基准电压产生电路和补偿电路，所述启动电路与所述基准电压产生电路连接并提供启动电压，所述补偿电路与所述基准电压产生电路连接并提供温度补偿；所述启动电路包括PMOS管PM1，PMOS管PM2和电容C0；PMOS管PM1的源极连接电压VDD，栅极接地，漏极连接PMOS管PM2的栅极和电容C0的一端，电容C0的另一端接地，PMOS管PM2的源极连接电压VDD；所述运算放大器电路包括PMOS管PM3、PM4，电阻R3和三极管Q1、Q2，所述电阻R3的一端连接电压VDD，另一端连接PMOS管PM3、PM4的源极，PMOS管PM3、PM4的栅极相连并连接PM4的漏极和三极管Q2的集电极；所述三极管Q1的集电极连接所述PM3和PM2的漏极，三极管Q1、Q2的发射极均接地；所述基准电压产生电路包括电阻R4、R5、R6、R7、R8、R1、R11，还包括NMOS管NM10和三极管Q3、Q4；所述补偿电路包括PMOS管PM12、PM13、PM14，NMOS管NM11、NM15，三极管Q5、Q6，以及电阻R2、R9、R10；所述电阻R4的一端连接电压VDD，另一端连接NMOS管NM10的漏极，所述NM10的栅极连接所述PM3的漏极，源极作为输出电压VREF的输出端并连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接NMOS管NM11的栅极并连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接电阻R7、R8的一端以及三极管Q4、Q5的基极；三极管Q3的集电极连接电阻R7的另一端以及三极管Q1的基极，基极连接三极管Q2的基极、电阻R8的另一端以及Q4的集电极，发射极连接Q4的发射极以及电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电阻R11的一端以及三极管Q6的集电极，电阻R11的另一端接地；所述电阻R2的一端连接三极管Q5的发射极，另一端接地；所述NMOS管NM11的漏极连接PMOS管PM12的栅极和漏极，以及PM13、PM14的栅极，源极连接三极管Q5的集电极；所述PMOS管PM12、PM13、PM14的源极均连接电压VDD；所述NMOS管NM15的漏极连接三极管Q6的基极以及PMOS管PM13的漏极，源极接地，栅极连接PMOS管PM14的漏极和电阻R10的一端，电阻R10的另一端接地；电阻R9的一端连接三极管Q6的发射极，另一端接地。