[发明专利]由津特耳相低温高产率合成纳米材料和复合材料在审
| 申请号： | 201780082766.0 | 申请日： | 2017-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN110402500A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·J·瓦格纳;内森·A·巴内克 | 申请（专利权）人： | 乔治华盛顿大学 |
| 主分类号： | H01L35/12 | 分类号： | H01L35/12;H01L35/16;H01L35/18 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;丁惠敏 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及由津特耳相合成纳米材料和复合材料的改进方法。纳米材料和复合材料可用作例如离子储存材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米材料 复合材料 高产率合成 离子储存 可用 合成 改进 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备离子储存材料的方法，所述方法包括：a)任选地在载体材料存在下，使津特耳化合物与铝化合物反应；b)任选地分离所得产物；和c)任选地使分离的产物纯化。
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