[发明专利]流体水平传感器有效
| 申请号： | 201780072707.5 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN110178003B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 葛宁;陈健华;A·戈维亚迪诺夫 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G01F23/24 | 分类号： | G01F23/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;陈岚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 流体贮存器可以包括沿着流体贮存器的壁的多个金属迹线，以及沿着金属迹线的长度的多个熔断器电路。每个熔断器电路可以包括沿着相应金属迹线的长度的熔断器，以及与熔断器并联的多个寄生电阻元件。寄生电阻元件在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下减少通过熔断器的电流流动。 | ||
| 搜索关键词： | 流体 水平 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种形成流体水平传感器的方法，包括：沿着流体贮存器的壁形成多个金属迹线；沿着金属迹线的长度形成多个熔断器电路，其中形成熔断器电路包括，对于每个熔断器电路：沿着相应金属迹线的长度形成熔断器，以及形成与熔断器并联的多个寄生电阻元件，寄生电阻元件在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下减少通过熔断器的电流流动。
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