[发明专利]用于使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片的方法和系统有效

专利信息
申请号: 201780068886.5 申请日: 2017-09-08
公开(公告)号: CN109923478B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: M·N·J·范科尔维克;V·S·凯伯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种使用无掩模光刻曝光系统诸如带电粒子多束波光刻系统(301A‑301D)创建电子器件诸如半导体芯片的方法。无掩模光刻曝光系统包括光刻子系统(316),光刻子系统包括无掩模图案写入器诸如带电粒子多束波光刻机(1)或电子束机器。方法包括在将图案数据以流传送至无掩模图案写入器之前将独特芯片设计数据(430)或与独特芯片设计数据相关的信息引入至包括共用芯片设计数据的图案数据中。
搜索关键词: 用于 使用 带电 粒子 波光 系统 制造 独特 芯片 方法
【主权项】:
1.一种使用包括无掩模图案写入器(1)的无掩模光刻曝光系统(301A‑301D)创建电子器件的方法,所述方法包括:在将包括共用芯片设计数据的图案数据以流传送至所述无掩模图案写入器之前,将独特芯片设计数据或与所述独特芯片设计数据相关的信息引入至所述图案数据中。
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