[发明专利]流体喷射装置中的原子层沉积氧化层有效
| 申请号： | 201780068122.6 | 申请日： | 2017-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110023088B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 陈之章;R·A·普利斯;M·S·沙拉维 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | B41J2/05 | 分类号： | B41J2/05;B41J2/16;H05B3/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 佘鹏;谭祐祥 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些示例中，为了形成流体喷射装置，在衬底上形成热敏电阻，在该热敏电阻之上形成氮化层，并且在高于250摄氏度的温度下使用原子层沉积(ALD)在该氮化层之上形成氧化层，其中，该氮化层和该氧化层构成钝化层，以保护该热敏电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 流体 喷射 装置 中的 原子 沉积 氧化 | ||
【主权项】：
1.一种形成流体喷射装置的方法，包括：在衬底上形成热敏电阻；以及在所述热敏电阻之上形成氮化层；以及在高于250摄氏度的温度下使用原子层沉积(ALD)在所述氮化层之上形成氧化层，所述氮化层和所述氧化层构成钝化层，以保护所述热敏电阻。
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