[发明专利]共源共栅放大器偏置电路

摘要

用于硅基放大器架构的偏置电路和方法，其对电源电压变化和偏置电压变化、偏置电流变化以及晶体管堆叠高度具有耐性并且补偿不良输出电阻特性。实施方式包括利用共源共栅基准电路以在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最终级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共源共栅放大器的最终级的栅极偏置电压来确保共源共栅基准电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。基于表示共源共栅放大器和共源共栅基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件比例因子，通过共源共栅放大器的最终电流是共源共栅基准电路中的电流的倍数。

主权项

1.一种放大器电路，包括：(a)共源共栅放大器，其具有至少两个串联连接的场效应晶体管(FET)级，每个FET级具有栅极、漏极和源极，底部FET级具有被配置成耦合至要放大的RF输入信号的输入，并且所述共源共栅放大器的顶部FET级具有用于提供经放大的RF输入信号的输出；(b)共源共栅基准电路，其具有至少两个串联连接的FET级，每个FET具有栅极、漏极和源极，所述共源共栅基准电路的底部两个FET级的栅极耦合至所述共源共栅放大器的底部两个FET级的对应栅极，以将所述共源共栅放大器偏置成输出近似等于所述共源共栅基准电路中的镜像电流的倍数的最终电流；以及(c)闭环偏置控制电路，其具有耦合至所述共源共栅基准电路的至少一个输入以及耦合至所述共源共栅放大器和所述共源共栅基准电路的底部FET级的栅极的输出，所述闭环偏置控制电路对所述共源共栅基准电路中的电压和/或电流的变化进行响应，以输出施加到所述共源共栅放大器和所述共源共栅基准电路的所述底部FET级的相应栅极的调整栅极偏置电压，所述调整栅极偏置电压促使所述共源共栅基准电路中的所述镜像电流近似等于选定电流值。