[发明专利]制造单片光子器件的方法、光子器件有效

专利信息
申请号: 201780052297.8 申请日: 2017-08-23
公开(公告)号: CN109804275B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: S·D·巴加特;C·佩罗兹;V·辛格;F·Y·徐 申请(专利权)人: 分子印记公司
主分类号: G02B1/04 分类号: G02B1/04;B29C59/02;B29D11/00;G02C7/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张蓉珺;林柏楠
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 制造高折光指数光子器件包括将可聚合组合物布置在第一衬底的第一表面上和使所述可聚合组合物与第二衬底的第一表面接触,由此将所述可聚合组合物铺展在第一衬底的第一表面上。将所述可聚合组合物固化以产生聚合物结构,其具有与第一衬底的第一表面接触的第一表面、与聚合物结构的第一表面相反并与第二衬底的第一表面接触的第二表面和10μm至1cm的在聚合物结构的第一表面和聚合物结构的第二表面之间的选择的残留层厚度。将所述聚合物结构与第一衬底和第二衬底分离以产生具有至少1.6的折光指数的单片光子器件。
搜索关键词: 制造 单片 光子 器件 方法
【主权项】:
1.一种制造高折光指数光子器件的方法,所述方法包含:将可聚合组合物布置在第一衬底的第一表面上;使所述可聚合组合物与第二衬底的第一表面接触,由此将所述可聚合组合物铺展在第一衬底的第一表面上;将所述可聚合组合物固化以产生聚合物结构,其具有与第一衬底的第一表面接触的第一表面、与聚合物结构的第一表面相反并与第二衬底的第一表面接触的第二表面,和10μm至1cm范围内的在聚合物结构的第一表面和聚合物结构的第二表面之间的选择的残留层厚度;和将所述聚合物结构与第一衬底和第二衬底分离以产生单片光子器件,其中所述单片光子器件的折光指数为至少1.6。
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