[发明专利]CEM切换装置在审
| 申请号： | 201780051577.7 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN109643757A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | K·G·里德;L·施弗伦;J·塞尔内斯卡;C·P·阿尔奥乔 | 申请（专利权）人： | 阿姆有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本文公开的主题涉及一种用于制造切换装置(350)的方法，该切换装置包含关联电子材料(360，362，364)。在实施方案中，描述了可用于避免原本倾向于在关联电子材料和导电基底(370)和/或导电覆盖层(380)之间形成的电阻层的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 切换装置 关联电子材料 导电覆盖层 导电基 电阻层 可用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造切换装置的方法，该方法包括形成导电基底，在导电基底上形成关联电子材料的初级层，以及在初级层上形成导电覆盖层，其中形成导电基底和导电覆盖层包括：纳入掺杂剂，从而提供在初级CEM层和导电基底之间的关联电子材料的次级层，以及在初级CEM层和导电覆盖层之间的关联电子材料的次级层。
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