[发明专利]补偿电路元件中的沉积不均匀性有效
| 申请号： | 201780051576.2 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109844637B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | B.J.伯克特;R.巴伦德斯 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造诸如量子计算电路元件的电路元件的方法，包括：获得包括表征一个或多个掩模特征的掩模信息的光刻掩模写入文件；获得均匀性函数，该均匀性函数被配置为修改该掩模信息以补偿不均匀的沉积过程；将均匀性函数应用于光刻掩模写入以获得修改的光刻掩模写入文件；和按照修改的光刻掩模写入文件的指示执行光刻。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 电路 元件 中的 沉积 不均匀 | ||
【主权项】：
1.一种制造电路元件的方法，包括：获得包括表征至少一个掩模特征的掩模信息的光刻掩模写入文件；获得均匀性函数，该均匀性函数被配置为修改表征所述至少一个掩模特征的掩模信息以补偿不均匀沉积过程；将均匀性函数应用于光刻掩模写入文件以获得修改的光刻掩模写入文件；和按照修改的光刻掩模写入文件的指示执行光刻。
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