[发明专利]通过暴露于紫外线能量制造相关电子材料膜在审
| 申请号： | 201780049967.0 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109643756A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 金柏莉·盖伊·里德;卢西恩·斯弗恩 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C16/48 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开的主题可涉及用于例如执行切换功能的相关电子材料的制造。在实施例中，描述了其中在制造相关电子材料期间使用紫外光源的工艺。在实施例中，使用紫外光可以降低基板的原子和/或分子组分扩散的可能性，这可能导致CEM器件的不期望的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电子材料 制造 紫外线能量 紫外光 紫外光源 组分扩散 电性能 基板 暴露 期望 | ||
【主权项】：
1.一种构建器件的方法，包括：由第一材料形成基板；以及在腔室中，在所述基板上形成一层或多层相关电子材料(CEM)，其中，在所述基板上形成所述一层或多层CEM包括在形成所述一层或多层CEM的一部分期间将所述CEM的一种或多种化学前体暴露于主要具有紫外频率成分的光源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ARM有限公司，未经ARM有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780049967.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁传感器及电流传感器
- 下一篇：CEM切换装置
