[发明专利]用于在3D虚拟制造环境中进行电性能建模的系统和方法有效
| 申请号： | 201780047516.3 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN109564702B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 马坦·卡蒙;肯尼思·B·格雷纳;大卫·M·弗里德;瓦桑特·奥勒姆帕里;颜义广 | 申请（专利权）人： | 科文托尔公司 |
| 主分类号： | G06T17/10 | 分类号： | G06T17/10;G06T15/10;G06T19/00 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 讨论了半导体器件结构的虚拟制造期间的电性能的建模。可以在虚拟制造工艺期间确定在半导体器件结构的指定区域中出现的电性能。例如，可以在感兴趣的建模域内确定电阻或电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 虚拟 制造 环境 进行 性能 建模 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种保持计算设备可执行指令的非暂时性计算机可读介质，所述计算设备可执行指令用于确定正被虚拟制造的半导体设备结构中的电路中的电性能，所述电路包括一个或多个分立器件和一个或多个互连结构中的至少一者，所述指令在被执行时使所述计算设备：接收用于待虚拟制造的半导体设备结构的工艺序列，所述工艺序列包括至少一个电性能建模步骤；使用所述工艺序列和2D设计数据，利用所述计算设备进行用于所述半导体设备结构的虚拟制造运行，所述虚拟制造运行：执行所述工艺序列，所述工艺序列的所述执行使用隐式几何表示来构建所述半导体设备结构的3D结构模型，所述隐式几何表示用于所述3D结构模型，所述隐式几何表示定义所述3D结构模型中的材料之间的界面而没有该界面的坐标位置(x，y，z)的显式表示，以及进行所述至少一个电性能建模步骤以使用所述隐式几何表示确定所述3D结构模型的指定区域中的电性能数据，而不从所述3D结构模型生成共形表面或体积网格，以及导出或显示由所述虚拟制造运行的所述至少一个电性能建模步骤确定的电性能数据。
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