[发明专利]量测方法和设备、计算机程序和光刻系统有效
| 申请号： | 201780046063.2 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109564393B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | T·希尤维斯;H·A·J·克瑞姆 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王静 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种重建在衬底上通过光刻过程形成的结构的特性的方法，以及相关的量测设备。该方法包括将与光刻过程相关的第一参数的测量值组合以获得第一参数的估计值；以及使用第一参数的估计值和结构的测量值重建与结构的特性相关的至少第二参数。组合步骤可以包括对第一参数的变化建模以获得第一参数的参数模型或指纹。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 设备 计算机 程序 光刻 系统 | ||
【主权项】：
1.一种重建通过半导体制造过程形成在衬底上的结构的特性的方法，包括：a)将与所述半导体制造过程相关的第一参数的测量值组合，以获得所述第一参数的估计值，其中所述第一参数与在所述半导体制造过程期间形成的第一层相关；和b)使用所述第一参数的所述估计值和所述结构的测量值重建与所述结构的所述特性相关的至少第二参数，其中所述第二参数与在所述半导体制造过程期间形成的第二层相关，所述第二层在所述第一层之后形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780046063.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光刻设备、光刻投影设备和器件制造方法
- 下一篇：膜组件和颗粒捕集器
