[发明专利]形成热开关的方法

摘要

一种形成气隙式热开关的方法，包括以下步骤：(a)设置第一和第二导体、第一和第二连接部件，在100K温度下所述导体的导热率是所述连接部件中的每一个的导热率的至少五倍；(b)将第一导体熔接到第一连接部件，将第二导体熔接到第二连接部件；(c)对准导体，使得第一和第二导体沿共同长轴延伸；(d)当已对准的导体处于第一温度时，使导体的近端彼此接触；以及(e)将第一连接部件接合到第二连接部件，以至少在导体的近端周围形成腔室。形成腔室的连接部件的热膨胀系数均小于导体的热膨胀系数，使得当导体冷却到低于第一温度的第二温度时，导体沿长轴的长度相对于腔室沿长轴的长度减小，以形成导体近端间的间隙。开关还布置为在使用时选择性地将导热气体提供到腔室中，以引起开关的操作。

主权项

1.一种形成气隙式热开关的方法，所述方法包括以下步骤：(a)设置第一导体和第二导体，以及第一连接部件和第二连接部件，其中，在100K的温度下所述导体的导热率是所述连接部件中的每一个的导热率的至少五倍；(b)将所述第一导体熔接到所述第一连接部件，并且将所述第二导体熔接到所述第二连接部件；(c)对准所述导体，使得所述第一导体和所述第二导体沿共同的长轴延伸；(d)当已对准的所述导体处于第一温度时，使所述导体的近端彼此接触；以及(e)将所述第一连接部件接合到所述第二连接部件，从而至少在所述导体的近端周围形成腔室；其中，形成所述腔室的所述连接部件的热膨胀系数均小于所述导体的热膨胀系数，使得当所述导体被冷却到低于所述第一温度的第二温度时，所述导体沿所述长轴的长度相对于所述腔室沿所述长轴的长度减小，从而形成所述导体的近端之间的间隙；并且所述开关布置为在使用时选择性地将导热气体提供到所述腔室中，以引起所述开关的操作。